实验室净化原理： 乱流干净室的主要特性是历来流到出流（从送风口到回风口）之间气流的流通截面是变化的，干净室截面比送风口截面大得多，因此不能在全室截面或者在全室工作区截面构成匀速气流。所以，送风口以后的流线彼此有很大或者越来越大的夹角，曲率半径很小，气流在室内不可能以单一方向活动，将会彼此撞击，将有回流、旋涡产生。这就决议乱流干净室的流态本质是：突变流；非平均流。 这比用紊流来描绘乱流干净室更确切、更全面。紊流主要决议于雷诺数，也就是主要受流速的影响，但是假如采用一个高效过滤器顶送的送风方式，则即便流速极低，也要产生上述各种结果，这就由于它是一个突变流和非平均流。因而这种状况下不只有流层之间因紊流活动而发作的掺混，而且还有全室范围内的大的回流、旋涡所发作的掺混。
干净室中的温湿度控制 干净空间的温湿度主要是依据工艺请求来肯定，但在满足工艺请求的条件下，应思索到人的温馨度感。随着空气干净度请求的进步，呈现了工艺对温湿度的请求也越来越严的趋向。详细工艺对温度的请求以后还要罗列，但作为总的准绳看，由于加工精度越来越精密，所以对温度动摇范围的请求越来越小。例如在大范围集成电路消费的光刻曝光工艺中，作为掩膜板资料的玻璃与硅片的热收缩系数的差请求越来越小。直径100 um的硅片，温度上升1度，就惹起了0.24um线性收缩，所以必需有±0.1度的恒温，同时请求湿度值普通较低，由于人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间温度不宜超越25度，湿渡过高产生的问题更多。相对湿度超越55%时，冷却水管壁上会结露，假如发作在精细安装或电路中，就会惹起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将经过空气中的水分子把硅片外表粘着的灰尘化学吸附在外表难以肃清。相对湿度越高,粘附的越难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于外表，同时大量半导体器件容易发作击穿。关于硅片消费最佳湿度范围为35—45%。
实验室净化分类 乱流式 空气由空调箱经风管与干净室内之空气过滤器(HEPA) 进入干净室，并由干净室两侧隔间墙板或高架地板回风。气流非直线型运动而呈不规则之乱流或涡流状态。此型式适用于干净室等级1,000-100,000级。 优点：结构简单、系统建形成本低，干净室的扩大比拟容易，在某些特殊用处场所，可并用无尘工作台，进步干净室等级。 缺陷：乱流形成的微尘粒子于室内空间飘浮不易排出，易污染制程产品。另外若系统中止运转再激活，欲达需求之干净度，常常须耗时相当长一段时间