实验室净化工程干净室的平面和空间设计，应将干净实验区和人员净化、设备资料净化和其他辅助用房停止分区布置。同时应思索实验操作、工艺设备装置和维修、气流式、管线布置以及净化空气调理系统等各种技术设备的综合谐和效果。 肯定实验室净化工程干净室空气干净度等级时，首先要满足实验内容和实验仪器设备对空气干净度的请求，然后还要依据实验操作步骤和实验程序规划,综合思索各个实验区域的不同净化等级请求，从而做到既满足净化请求又节约本钱支出。室内各种固定技术设备（如送风口、照明器、回风口、各种管线等）的布置，宜首先思索实验室净化工程净化空气调理系统的请求。
干净室中的温湿度控制 干净空间的温湿度主要是依据工艺请求来肯定，但在满足工艺请求的条件下，应思索到人的温馨度感。随着空气干净度请求的进步，呈现了工艺对温湿度的请求也越来越严的趋向。详细工艺对温度的请求以后还要罗列，但作为总的准绳看，由于加工精度越来越精密，所以对温度动摇范围的请求越来越小。例如在大范围集成电路消费的光刻曝光工艺中，作为掩膜板资料的玻璃与硅片的热收缩系数的差请求越来越小。直径100 um的硅片，温度上升1度，就惹起了0.24um线性收缩，所以必需有±0.1度的恒温，同时请求湿度值普通较低，由于人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间温度不宜超越25度，湿渡过高产生的问题更多。相对湿度超越55%时，冷却水管壁上会结露，假如发作在精细安装或电路中，就会惹起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将经过空气中的水分子把硅片外表粘着的灰尘化学吸附在外表难以肃清。相对湿度越高,粘附的越难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于外表，同时大量半导体器件容易发作击穿。关于硅片消费最佳湿度范围为35—45%。
实验室净化分类 乱流式 空气由空调箱经风管与干净室内之空气过滤器(HEPA) 进入干净室，并由干净室两侧隔间墙板或高架地板回风。气流非直线型运动而呈不规则之乱流或涡流状态。此型式适用于干净室等级1,000-100,000级。 优点：结构简单、系统建形成本低，干净室的扩大比拟容易，在某些特殊用处场所，可并用无尘工作台，进步干净室等级。 缺陷：乱流形成的微尘粒子于室内空间飘浮不易排出，易污染制程产品。另外若系统中止运转再激活，欲达需求之干净度，常常须耗时相当长一段时间