另一方面，湿蚀刻仅是化学过程，干蚀刻等向性蚀刻与异向性蚀刻同时存在，湿蚀刻：利用化学药液将需要蚀刻掉的物质蚀刻掉，湿蚀刻为等向性蚀刻，湿蚀刻机台便宜，蚀刻速度快，但难以jing确控制线宽和获得极其精细的图形并且需要大量用水，污染大；干蚀刻机台价格昂贵，蚀刻速度速度慢，但可以jing确控制线宽能获得极其精细的图形，而且不需要用水，污染小，蚀刻工艺是一项工业应用，涉及到我们生活中的全方面应用，在工业制造中是不可缺少的中间工艺，其应用领域紧密的以我们生活中的“吃、穿、住、行”为主要应用，无论是行业应用，或者是生活生产，蚀刻工艺是不可取代，且不可缺失的。
当反应发生时，材料以类似于向下蚀刻的速度被横向移除，湿化学蚀刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因为液体蚀刻剂可以渗透到掩模下面，如果方向性对于高分辨率图案转移非常重要，通常禁止湿法化学蚀刻工艺，湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层，湿法刻蚀是半导体制造，微机械和微流控设备中的重要过程，需要微尺度的特征来优化性能或创建层流态，这在宏观上几乎是不可能获得的，由于能够通过改变蚀刻剂浓度和蚀刻时间来轻松控制z轴蚀刻，因此常用于分层应用。
缺点包括许多化学废物，其中许多是高酸性和多步过程，在蚀刻之前，需要掩盖衬底的区域以获得器件所需的详细功能，在称为光刻的过程中，将光敏光刻胶旋涂到晶圆上，然后将晶片预烘烤以除去光刻胶中多余的溶剂，然后将具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蚀剂的顶部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蚀剂，当将腐蚀剂（一种腐蚀性化学品）施加到被掩膜的晶圆上时，在所有方向上未被掩膜覆盖的区域中，蚀刻会以相同的速率发生，从而产生倒圆的边缘。