蚀刻也可以称为制作空腔，这些空腔应该根据用途具有特定的深度，产生的这种空腔的深度可以通过蚀刻时间和蚀刻速率来控制，执行蚀刻机制的成功之处在于，多层结构的顶层应该被完全去除，而在底层或掩模层中没有任何种类的损伤，这完全取决于两种材料的蚀刻速率之比，称为选择性，蚀刻加工的优点主要体现在以下几点：蚀刻加工完的产品无毛刺，生产效率也高，大批量，密集的小孔同样可以稳定的批量生产；精密度可以越来越高，zui高管控的精度是可以达到+/-0。
在一些蚀刻情况下，蚀刻会削弱掩模层，并产生形成空腔的倾斜侧壁，底切的距离称为偏差，湿蚀刻剂通常是各向同性的，并且它们在厚膜蚀刻期间导致较大的偏差，它们还需要处理大量有毒废物，这种蚀刻方法在“后端”处理(BEOL)之前特别有效，在该处理中，晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄，并且对热或机械类型的应力非常敏感，晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；zui常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。
现在可以对涂覆的晶片进行湿法蚀刻以将所需的图案雕刻到晶片中，各向同性蚀刻，即在所有方向上均相等的蚀刻，是指基材的方向不影响蚀刻剂去除材料的方式，如果允许蚀刻剂反应足够长的时间，如图1所示，蚀刻剂将蚀刻掉称为掩模底切的掩模下的基板材料，可以通过在底切掩模前先冲洗掉蚀刻剂，然后在通道上施加光刻胶来避免这种情况，加工出来的产品没有毛刺，没有脏污，表面更是光滑，蚀刻加工是其他机械的工艺都无法加工的高精密产品。