在等离子体蚀刻工艺中，也称为干蚀刻，使用等离子体或蚀刻气体来去除衬底材料，干蚀刻会产生气态产物，这些产物应扩散到大量气体中并通过真空系统排出，干蚀刻有三种类型（例如等离子蚀刻）：化学反应（通过使用反应性等离子体或气体），物理去除（通常通过动量传递）以及化学反应和物理去除的组合，干蚀刻：利用不易被物理、化学作用破坏的物质光阻来阻挡不欲去除的部分，利用电浆的离子轰击效应和化学反应去掉想去除的部分，从而将所需要的线路图形留在玻璃基板上。
当反应发生时，材料以类似于向下蚀刻的速度被横向移除，湿化学蚀刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因为液体蚀刻剂可以渗透到掩模下面，如果方向性对于高分辨率图案转移非常重要，通常禁止湿法化学蚀刻工艺，湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层，湿法刻蚀是半导体制造，微机械和微流控设备中的重要过程，需要微尺度的特征来优化性能或创建层流态，这在宏观上几乎是不可能获得的，由于能够通过改变蚀刻剂浓度和蚀刻时间来轻松控制z轴蚀刻，因此常用于分层应用。
缺点包括许多化学废物，其中许多是高酸性和多步过程，在蚀刻之前，需要掩盖衬底的区域以获得器件所需的详细功能，在称为光刻的过程中，将光敏光刻胶旋涂到晶圆上，然后将晶片预烘烤以除去光刻胶中多余的溶剂，然后将具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蚀剂的顶部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蚀剂，当将腐蚀剂（一种腐蚀性化学品）施加到被掩膜的晶圆上时，在所有方向上未被掩膜覆盖的区域中，蚀刻会以相同的速率发生，从而产生倒圆的边缘。