蚀刻几微米的非常薄的层将去除在背面研磨过程中产生的微裂纹，导致晶片具有显著增加的强度和柔性，对于各向同性湿法蚀刻，氢氟酸、硝酸和乙酸(HNA)的混合物是硅zui常见的蚀刻剂溶剂，每种蚀刻剂的浓度决定了蚀刻速率，二氧化硅或氮化硅经常被用作对抗HNA的掩蔽材料，彩色不锈钢蚀刻板具有较高的耐磨、抗刻划特性高于普通不锈钢，常用于酒店、宾馆、娱乐场所、gao档皮牌专卖店、车厢板、厅堂墙板、天花板、招牌、门窗装饰等。
缺点包括许多化学废物，其中许多是高酸性和多步过程，在蚀刻之前，需要掩盖衬底的区域以获得器件所需的详细功能，在称为光刻的过程中，将光敏光刻胶旋涂到晶圆上，然后将晶片预烘烤以除去光刻胶中多余的溶剂，然后将具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蚀剂的顶部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蚀剂，当将腐蚀剂（一种腐蚀性化学品）施加到被掩膜的晶圆上时，在所有方向上未被掩膜覆盖的区域中，蚀刻会以相同的速率发生，从而产生倒圆的边缘。
现在可以对涂覆的晶片进行湿法蚀刻以将所需的图案雕刻到晶片中，各向同性蚀刻，即在所有方向上均相等的蚀刻，是指基材的方向不影响蚀刻剂去除材料的方式，如果允许蚀刻剂反应足够长的时间，如图1所示，蚀刻剂将蚀刻掉称为掩模底切的掩模下的基板材料，可以通过在底切掩模前先冲洗掉蚀刻剂，然后在通道上施加光刻胶来避免这种情况，加工出来的产品没有毛刺，没有脏污，表面更是光滑，蚀刻加工是其他机械的工艺都无法加工的高精密产品。