另一方面，湿蚀刻仅是化学过程，干蚀刻等向性蚀刻与异向性蚀刻同时存在，湿蚀刻：利用化学药液将需要蚀刻掉的物质蚀刻掉，湿蚀刻为等向性蚀刻，湿蚀刻机台便宜，蚀刻速度快，但难以jing确控制线宽和获得极其精细的图形并且需要大量用水，污染大；干蚀刻机台价格昂贵，蚀刻速度速度慢，但可以jing确控制线宽能获得极其精细的图形，而且不需要用水，污染小，蚀刻工艺是一项工业应用，涉及到我们生活中的全方面应用，在工业制造中是不可缺少的中间工艺，其应用领域紧密的以我们生活中的“吃、穿、住、行”为主要应用，无论是行业应用，或者是生活生产，蚀刻工艺是不可取代，且不可缺失的。
缺点包括许多化学废物，其中许多是高酸性和多步过程，在蚀刻之前，需要掩盖衬底的区域以获得器件所需的详细功能，在称为光刻的过程中，将光敏光刻胶旋涂到晶圆上，然后将晶片预烘烤以除去光刻胶中多余的溶剂，然后将具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蚀剂的顶部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蚀剂，当将腐蚀剂（一种腐蚀性化学品）施加到被掩膜的晶圆上时，在所有方向上未被掩膜覆盖的区域中，蚀刻会以相同的速率发生，从而产生倒圆的边缘。
现在可以对涂覆的晶片进行湿法蚀刻以将所需的图案雕刻到晶片中，各向同性蚀刻，即在所有方向上均相等的蚀刻，是指基材的方向不影响蚀刻剂去除材料的方式，如果允许蚀刻剂反应足够长的时间，如图1所示，蚀刻剂将蚀刻掉称为掩模底切的掩模下的基板材料，可以通过在底切掩模前先冲洗掉蚀刻剂，然后在通道上施加光刻胶来避免这种情况，加工出来的产品没有毛刺，没有脏污，表面更是光滑，蚀刻加工是其他机械的工艺都无法加工的高精密产品。