蚀刻是从材料表面去除材料的过程，蚀刻的两种主要类型是湿蚀刻和干蚀刻（例如，等离子体蚀刻），涉及使用液体化学药品或蚀刻剂去除基板材料的蚀刻工艺称为湿蚀刻，通常所指金属蚀刻加工也被称为化学蚀刻加工，通过制版，经过曝光（紫外线图像转移）到金属上面，将图案显影后，将要蚀刻的保护层去掉，在蚀刻过程中接触化学药水，让两面的图案通过化学腐蚀研磨的作用，形成凹凸和镂空成形的效果，金属蚀刻加工具有很强的针对性的工艺。
当反应发生时，材料以类似于向下蚀刻的速度被横向移除，湿化学蚀刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因为液体蚀刻剂可以渗透到掩模下面，如果方向性对于高分辨率图案转移非常重要，通常禁止湿法化学蚀刻工艺，湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层，湿法刻蚀是半导体制造，微机械和微流控设备中的重要过程，需要微尺度的特征来优化性能或创建层流态，这在宏观上几乎是不可能获得的，由于能够通过改变蚀刻剂浓度和蚀刻时间来轻松控制z轴蚀刻，因此常用于分层应用。
现在可以对涂覆的晶片进行湿法蚀刻以将所需的图案雕刻到晶片中，各向同性蚀刻，即在所有方向上均相等的蚀刻，是指基材的方向不影响蚀刻剂去除材料的方式，如果允许蚀刻剂反应足够长的时间，如图1所示，蚀刻剂将蚀刻掉称为掩模底切的掩模下的基板材料，可以通过在底切掩模前先冲洗掉蚀刻剂，然后在通道上施加光刻胶来避免这种情况，加工出来的产品没有毛刺，没有脏污，表面更是光滑，蚀刻加工是其他机械的工艺都无法加工的高精密产品。
