当反应发生时,材料以类似于向下蚀刻的速度被横向移除,湿化学蚀刻通常是各向同性的,即使存在掩模,因为液体蚀刻剂可以渗透到掩模下面,如果方向性对于高分辨率图案转移非常重要,通常禁止湿法化学蚀刻工艺,湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程,该过程中使用化学物质去除晶圆层,湿法刻蚀是半导体制造,微机械和微流控设备中的重要过程,需要微尺度的特征来优化性能或创建层流态,这在宏观上几乎是不可能获得的,由于能够通过改变蚀刻剂浓度和蚀刻时间来轻松控制z轴蚀刻,因此常用于分层应用。
缺点包括许多化学废物,其中许多是高酸性和多步过程,在蚀刻之前,需要掩盖衬底的区域以获得器件所需的详细功能,在称为光刻的过程中,将光敏光刻胶旋涂到晶圆上,然后将晶片预烘烤以除去光刻胶中多余的溶剂,然后将具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蚀剂的顶部,并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蚀剂,当将腐蚀剂(一种腐蚀性化学品)施加到被掩膜的晶圆上时,在所有方向上未被掩膜覆盖的区域中,蚀刻会以相同的速率发生,从而产生倒圆的边缘。
现在可以对涂覆的晶片进行湿法蚀刻以将所需的图案雕刻到晶片中,各向同性蚀刻,即在所有方向上均相等的蚀刻,是指基材的方向不影响蚀刻剂去除材料的方式,如果允许蚀刻剂反应足够长的时间,如图1所示,蚀刻剂将蚀刻掉称为掩模底切的掩模下的基板材料,可以通过在底切掩模前先冲洗掉蚀刻剂,然后在通道上施加光刻胶来避免这种情况,加工出来的产品没有毛刺,没有脏污,表面更是光滑,蚀刻加工是其他机械的工艺都无法加工的高精密产品。