蚀刻几微米的非常薄的层将去除在背面研磨过程中产生的微裂纹，导致晶片具有显著增加的强度和柔性，对于各向同性湿法蚀刻，氢氟酸、硝酸和乙酸(HNA)的混合物是硅zui常见的蚀刻剂溶剂，每种蚀刻剂的浓度决定了蚀刻速率，二氧化硅或氮化硅经常被用作对抗HNA的掩蔽材料，彩色不锈钢蚀刻板具有较高的耐磨、抗刻划特性高于普通不锈钢，常用于酒店、宾馆、娱乐场所、gao档皮牌专卖店、车厢板、厅堂墙板、天花板、招牌、门窗装饰等。
当反应发生时，材料以类似于向下蚀刻的速度被横向移除，湿化学蚀刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因为液体蚀刻剂可以渗透到掩模下面，如果方向性对于高分辨率图案转移非常重要，通常禁止湿法化学蚀刻工艺，湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层，湿法刻蚀是半导体制造，微机械和微流控设备中的重要过程，需要微尺度的特征来优化性能或创建层流态，这在宏观上几乎是不可能获得的，由于能够通过改变蚀刻剂浓度和蚀刻时间来轻松控制z轴蚀刻，因此常用于分层应用。
缺点包括许多化学废物，其中许多是高酸性和多步过程，在蚀刻之前，需要掩盖衬底的区域以获得器件所需的详细功能，在称为光刻的过程中，将光敏光刻胶旋涂到晶圆上，然后将晶片预烘烤以除去光刻胶中多余的溶剂，然后将具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蚀剂的顶部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蚀剂，当将腐蚀剂（一种腐蚀性化学品）施加到被掩膜的晶圆上时，在所有方向上未被掩膜覆盖的区域中，蚀刻会以相同的速率发生，从而产生倒圆的边缘。
